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FDG6301N

FDG6301N

僅供參考

型號 FDG6301N
PNEDA編號 FDG6301N
描述 MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDG6301N資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDG6301N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDG6301N, FDG6301N數據表 (總頁數: 8, 大小: 268.06 KB)
PDFFDG6301N_D87Z數據表 封面
FDG6301N_D87Z數據表 頁面 2 FDG6301N_D87Z數據表 頁面 3 FDG6301N_D87Z數據表 頁面 4 FDG6301N_D87Z數據表 頁面 5 FDG6301N_D87Z數據表 頁面 6 FDG6301N_D87Z數據表 頁面 7 FDG6301N_D87Z數據表 頁面 8

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FDG6301N規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)220mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9.5pF @ 10V
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88 (SC-70-6)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 10A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.4nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2953pF @ 25V

功率-最大

64W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

485mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 120A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 6mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

378nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6300pF @ 1000V

功率-最大

925W

工作溫度

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Chassis Mount

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA, 150mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 10V

功率-最大

446mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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13A, 30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

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