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FDC6312P

FDC6312P

僅供參考

型號 FDC6312P
PNEDA編號 FDC6312P
描述 MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 666,684
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDC6312P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDC6312P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDC6312P, FDC6312P數據表 (總頁數: 7, 大小: 206.35 KB)
PDFFDC6312P數據表 封面
FDC6312P數據表 頁面 2 FDC6312P數據表 頁面 3 FDC6312P數據表 頁面 4 FDC6312P數據表 頁面 5 FDC6312P數據表 頁面 6 FDC6312P數據表 頁面 7

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FDC6312P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds467pF @ 10V
功率-最大700mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝SuperSOT™-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.3A, 3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 9V

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.71mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 20V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

95A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 20V

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.56nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

798pF @ 10V

功率-最大

1.17W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

76mOhm @ 65A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 30mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

960nC @ 10V

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