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FAM65V05DF1

FAM65V05DF1

僅供參考

型號 FAM65V05DF1
PNEDA編號 FAM65V05DF1
描述 AUTOMOTIVE POWER MODULE
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $414.2588
50 ---------- $394.8404
100 ---------- $375.4221
200 ---------- $356.0037
400 ---------- $339.8217
500 ---------- $323.6397
庫存 5,874
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FAM65V05DF1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FAM65V05DF1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FAM65V05DF1, FAM65V05DF1數據表 (總頁數: 19, 大小: 1,075.94 KB)
PDFFAM65V05DF1數據表 封面
FAM65V05DF1數據表 頁面 2 FAM65V05DF1數據表 頁面 3 FAM65V05DF1數據表 頁面 4 FAM65V05DF1數據表 頁面 5 FAM65V05DF1數據表 頁面 6 FAM65V05DF1數據表 頁面 7 FAM65V05DF1數據表 頁面 8 FAM65V05DF1數據表 頁面 9 FAM65V05DF1數據表 頁面 10 FAM65V05DF1數據表 頁面 11

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FAM65V05DF1規格

制造商ON Semiconductor
系列Auto SPM®
IGBT類型-
配置Three Phase
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
功率-最大333W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.65V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)3µA
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱27-PowerDIP Module (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝27-DIP Module (44x26.8)

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1300A

功率-最大

9600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.25V @ 15V, 800A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

100nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

IRG5K100HF06A

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

170A

功率-最大

405W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

POWIR® 34 Module

供應商設備包裝

POWIR® 34

CM50DY-28H

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制造商

Powerex Inc.

系列

IGBTMOD™

IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.2V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

10nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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制造商

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IGBT類型

NPT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

450A

功率-最大

1560W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 360A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

17nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

D4

供應商設備包裝

D4

APT100GT60JR

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

Thunderbolt IGBT®

IGBT類型

NPT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

148A

功率-最大

500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

25µA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.15nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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