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FAM65CR51DZ2

FAM65CR51DZ2

僅供參考

型號 FAM65CR51DZ2
PNEDA編號 FAM65CR51DZ2
描述 IC PIM BOOST CONVERTER 12LD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,542
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FAM65CR51DZ2資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FAM65CR51DZ2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FAM65CR51DZ2, FAM65CR51DZ2數據表 (總頁數: 16, 大小: 664.67 KB)
PDFFAM65CR51DZ2數據表 封面
FAM65CR51DZ2數據表 頁面 2 FAM65CR51DZ2數據表 頁面 3 FAM65CR51DZ2數據表 頁面 4 FAM65CR51DZ2數據表 頁面 5 FAM65CR51DZ2數據表 頁面 6 FAM65CR51DZ2數據表 頁面 7 FAM65CR51DZ2數據表 頁面 8 FAM65CR51DZ2數據表 頁面 9 FAM65CR51DZ2數據表 頁面 10 FAM65CR51DZ2數據表 頁面 11

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FAM65CR51DZ2規格

制造商ON Semiconductor
系列*
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Infineon Technologies

系列

*

IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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IGBT類型

-

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

功率-最大

63W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 24A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.6nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

19-SIP (13 Leads), IMS-2

供應商設備包裝

IMS-2

BSM35GP120GBOSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

功率-最大

230W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.85V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.5nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

FS225R17KE4BOSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

EconoPACK™+

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

340A

功率-最大

1500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 225A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

18.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

VS-GT80DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

HEXFRED®

IGBT類型

Trench

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

139A

功率-最大

658W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.55V @ 15V, 80A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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