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ES3B-M3/57T

ES3B-M3/57T

僅供參考

型號 ES3B-M3/57T
PNEDA編號 ES3B-M3-57T
描述 DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,172
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES3B-M3/57T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES3B-M3/57T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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ES3B-M3/57T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F45pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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30V

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200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

3.9A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

680mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 80V

電容@ Vr,F

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

75A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.55V @ 75A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

265ns

當前-反向泄漏@ Vr

420µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Standard

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600V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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