EPC2101ENGRT
僅供參考
| 型號 | EPC2101ENGRT |
| PNEDA編號 | EPC2101ENGRT |
| 描述 | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
| 制造商 | EPC |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 35,766 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸) |
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EPC2101ENGRT資源
| 品牌 | EPC |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | EPC2101ENGRT |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
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EPC2101ENGRT規格
| 制造商 | EPC |
| 系列 | eGaN® |
| FET類型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET功能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 60V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 9.5A, 38A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.5V @ 2mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 2.7nC @ 5V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 300pF @ 30V |
| 功率-最大 | - |
| 工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | Die |
| 供應商設備包裝 | Die |
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