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EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT

僅供參考

型號 EPC2101ENGRT
PNEDA編號 EPC2101ENGRT
描述 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
制造商 EPC
單價 請求報價
庫存 35,766
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EPC2101ENGRT資源

品牌 EPC
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EPC2101ENGRT
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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EPC2101ENGRT規格

制造商EPC
系列eGaN®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.5A, 38A
Rds On(Max)@ Id,Vgs11.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 2mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.7nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds300pF @ 30V
功率-最大-
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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2 N-Channel (Dual)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate, 1.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A, 2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

260pF @ 10V

功率-最大

1W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SMD, Flat Lead

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A, 12A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

880mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

490mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

570mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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