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EMA6DXV5T5G

EMA6DXV5T5G

僅供參考

型號 EMA6DXV5T5G
PNEDA編號 EMA6DXV5T5G
描述 TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,466
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 24 - 七月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EMA6DXV5T5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EMA6DXV5T5G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
EMA6DXV5T5G, EMA6DXV5T5G數據表 (總頁數: 4, 大小: 36.83 KB)
PDFEMA6DXV5T5G數據表 封面
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EMA6DXV5T5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大230mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-553
供應商設備包裝SOT-553

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

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