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EGP50GHE3/54

EGP50GHE3/54

僅供參考

型號 EGP50GHE3/54
PNEDA編號 EGP50GHE3-54
描述 DIODE GEN PURP 400V 5A GP20
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,772
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 13 - 十一月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGP50GHE3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGP50GHE3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
EGP50GHE3/54, EGP50GHE3/54數據表 (總頁數: 4, 大小: 63.14 KB)
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EGP50GHE3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F75pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AA, DO-27, Axial
供應商設備包裝GP20
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

120ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-220-2

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

8.5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

95pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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