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EDFP112A3PB-GDTJ-F-R TR

EDFP112A3PB-GDTJ-F-R TR

僅供參考

型號 EDFP112A3PB-GDTJ-F-R TR
PNEDA編號 EDFP112A3PB-GDTJ-F-R-TR
描述 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,914
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDFP112A3PB-GDTJ-F-R TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDFP112A3PB-GDTJ-F-R TR
類別半導體內存IC內存

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EDFP112A3PB-GDTJ-F-R TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小24Gb (192M x 128)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-30°C ~ 105°C (TC)
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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-

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

-

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

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內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

1067MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

15ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存格式

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工作溫度

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