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DTC143ZEBHZGTL

DTC143ZEBHZGTL

僅供參考

型號 DTC143ZEBHZGTL
PNEDA編號 DTC143ZEBHZGTL
描述 NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTC143ZEBHZGTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTC143ZEBHZGTL
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTC143ZEBHZGTL, DTC143ZEBHZGTL數據表 (總頁數: 7, 大小: 1,116.55 KB)
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DTC143ZEBHZGTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN - Pre-Biased + Diode
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-89, SOT-490
供應商設備包裝EMT3F (SOT-416FL)

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電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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頻率-過渡

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功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

500nA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

500nA

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