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DTC143TEBTL

DTC143TEBTL

僅供參考

型號 DTC143TEBTL
PNEDA編號 DTC143TEBTL
描述 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,880
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 25 - 七月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTC143TEBTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTC143TEBTL
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTC143TEBTL, DTC143TEBTL數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,448.25 KB)
PDFDTC143TMT2L數據表 封面
DTC143TMT2L數據表 頁面 2 DTC143TMT2L數據表 頁面 3 DTC143TMT2L數據表 頁面 4 DTC143TMT2L數據表 頁面 5 DTC143TMT2L數據表 頁面 6 DTC143TMT2L數據表 頁面 7 DTC143TMT2L數據表 頁面 8 DTC143TMT2L數據表 頁面 9 DTC143TMT2L數據表 頁面 10

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DTC143TEBTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝EMT3

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NPN - Pre-Biased

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

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安裝類型

Surface Mount

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50V

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510 Ohms

電阻-發射極基(R2)

5.1 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

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47 kOhms

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