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DTC123TET1G

DTC123TET1G

僅供參考

型號 DTC123TET1G
PNEDA編號 DTC123TET1G
描述 TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,214
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 10 - 五月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTC123TET1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTC123TET1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTC123TET1G, DTC123TET1G數據表 (總頁數: 12, 大小: 133.94 KB)
PDFSMMUN2238LT1G數據表 封面
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DTC123TET1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SC-75

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22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

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