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DTA023EMT2L

DTA023EMT2L

僅供參考

型號 DTA023EMT2L
PNEDA編號 DTA023EMT2L
描述 TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,842
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTA023EMT2L資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTA023EMT2L
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTA023EMT2L, DTA023EMT2L數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,391.78 KB)
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DTA023EMT2L規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2 kOhms
電阻-發射極基(R2)2.2 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 20mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-723
供應商設備包裝VMT3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-75, SOT-416

供應商設備包裝

EMT3

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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安裝類型

Surface Mount

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Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-75, SOT-416

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-101, SOT-883

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NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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