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DS28DG02E-3C+

DS28DG02E-3C+

僅供參考

型號 DS28DG02E-3C+
PNEDA編號 DS28DG02E-3C
描述 IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 28TSSOP
制造商 Maxim Integrated
單價 請求報價
庫存 3,204
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DS28DG02E-3C+資源

品牌 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DS28DG02E-3C+
類別半導體內存IC內存
數據表
DS28DG02E-3C+, DS28DG02E-3C+數據表 (總頁數: 34, 大小: 345.54 KB)
PDFDS28DG02E-3C+T數據表 封面
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DS28DG02E-3C+規格

制造商Maxim Integrated
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小2Kb (256 x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率2MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.2V ~ 5.25V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
供應商設備包裝28-TSSOP-EP

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

供應商設備包裝

8-MSOP

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

120ns

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

450ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-TFBGA

供應商設備包裝

84-TWBGA (8x12.5)

IS49NLC18320-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

576Mb (32M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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