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DS1250AB-100IND

DS1250AB-100IND

僅供參考

型號 DS1250AB-100IND
PNEDA編號 DS1250AB-100IND_5B
描述 IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
制造商 Maxim Integrated
單價 請求報價
庫存 4,572
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 24 - 六月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DS1250AB-100IND資源

品牌 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DS1250AB-100IND
類別半導體內存IC內存
數據表
DS1250AB-100IND, DS1250AB-100IND數據表 (總頁數: 10, 大小: 236.32 KB)
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DS1250AB-100IND規格

制造商Maxim Integrated
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁100ns
訪問時間100ns
電壓-供電4.75V ~ 5.25V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
供應商設備包裝32-EDIP

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Adesto Technologies

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

CBRAM®

技術

CBRAM

內存大小

128kb (64B Page Size)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

100µs, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-UFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FRAM

技術

FRAM (Ferroelectric RAM)

內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-WPDFN (6x5)(MLP8)

MT28EW512ABA1HPC-0SIT TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (64M x 8, 32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

95ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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