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DNA30E2200PC

DNA30E2200PC

僅供參考

型號 DNA30E2200PC
PNEDA編號 DNA30E2200PC
描述 DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DNA30E2200PC資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DNA30E2200PC
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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DNA30E2200PC規格

制造商IXYS
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)2200V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.26V @ 30A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr40µA @ 2200V
電容@ Vr,F7pF @ 700V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263 (D²Pak)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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