DMT6018LDR-7
僅供參考
| 型號 | DMT6018LDR-7 | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | DMT6018LDR-7 | ||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030- | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| 單價 |
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| 庫存 | 202 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* | ||||||||||||||||||
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DMT6018LDR-7資源
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | DMT6018LDR-7 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
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DMT6018LDR-7規格
| 制造商 | Diodes Incorporated |
| 系列 | - |
| FET類型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET功能 | Standard |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 60V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 8.8A (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 17mOhm @ 8.2A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 3V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 13.9nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 869pF @ 30V |
| 功率-最大 | 1.9W |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 8-PowerVDFN |
| 供應商設備包裝 | V-DFN3030-8 |
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