DMP3120L-7
僅供參考
| 型號 | DMP3120L-7 |
| PNEDA編號 | DMP3120L-7 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23 |
| 制造商 | Diodes Incorporated |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 7,416 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸) |
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
DMP3120L-7資源
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | DMP3120L-7 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
| 數據表 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
在PNEDA，我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。
我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的：
及時響應
我們的團隊會迅速響應您的要求，並立即開始尋找您的零件。
保證質量
我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時，防止假冒產品。
全局訪問
我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。
Hot search vocabulary
- DMP3120L-7 Datasheet
- where to find DMP3120L-7
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated DMP3120L-7
- DMP3120L-7 PDF Datasheet
- DMP3120L-7 Stock
- DMP3120L-7 Pinout
- Datasheet DMP3120L-7
- DMP3120L-7 Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- DMP3120L-7 Price
- DMP3120L-7 Distributor
DMP3120L-7規格
| 制造商 | Diodes Incorporated |
| 系列 | - |
| FET類型 | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 2.8A (Ta) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 2.5V, 4.5V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 120mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 1.4V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 6.7nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±12V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 285pF @ 15V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 1.4W (Ta) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包裝 | SOT-23 |
| 包裝/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
您可能感興趣的產品
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs 14mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 87nC @ 8V Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2970pF @ 6V FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerPAK® SC-70-6 Single 包裝/箱 PowerPAK® SC-70-6 |
制造商 IXYS 系列 HiPerFET™, Polar3™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 300mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 1.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 36nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1800pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 380W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220AB 包裝/箱 TO-220-3 |
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 260mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 83nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3710pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 417W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247 包裝/箱 TO-247-3 |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 8.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 17nC @ 5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） 2.5W (Tc) 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SO 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
制造商 Infineon Technologies 系列 CoolSiC™ FET類型 N-Channel 技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss） 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id） 56A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 15V, 18V Rds On（Max）@ Id，Vgs 40mOhm @ 25A, 18V Vgs（th）（最大）@ ID 5.7V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 63nC @ 18V Vgs（最大） +23V, -7V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2.12nF @ 800V FET功能 - 功耗（最大值） 227W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PG-TO247-3-41 包裝/箱 TO-247-3 |
