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DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7

僅供參考

型號 DMN67D8LDW-7
PNEDA編號 DMN67D8LDW-7
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,160
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 4 - 七月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN67D8LDW-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN67D8LDW-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN67D8LDW-7, DMN67D8LDW-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 533.19 KB)
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DMN67D8LDW-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)230mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.82nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds22pF @ 25V
功率-最大320mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1380pF @ 15V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 310µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

910pF @ 10V

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 13V

功率-最大

2.8W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA, 880mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

33pF @ 5V

功率-最大

270mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

103mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.1nC @ 4.5V

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