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DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

僅供參考

型號 DMN67D8LDW-13
PNEDA編號 DMN67D8LDW-13
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 8 - 七月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN67D8LDW-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN67D8LDW-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN67D8LDW-13, DMN67D8LDW-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 533.19 KB)
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DMN67D8LDW-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)230mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.82nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds22pF @ 25V
功率-最大320mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

87mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

435pF @ 15V

功率-最大

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 4.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

590pF @ 15V

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

404pF @ 20V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

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