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DMN61D9UDW-7

DMN61D9UDW-7

僅供參考

型號 DMN61D9UDW-7
PNEDA編號 DMN61D9UDW-7
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 817,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 17 - 七月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN61D9UDW-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN61D9UDW-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN61D9UDW-7, DMN61D9UDW-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 533.15 KB)
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DMN61D9UDW-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)350mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds28.5pF @ 30V
功率-最大320mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

180mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

250mW

工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1755pF @ 25V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

270Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4750pF @ 6V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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