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DMN5L06DW-7

DMN5L06DW-7

僅供參考

型號 DMN5L06DW-7
PNEDA編號 DMN5L06DW-7
描述 MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN5L06DW-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN5L06DW-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN5L06DW-7, DMN5L06DW-7數據表 (總頁數: 5, 大小: 243.08 KB)
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DMN5L06DW-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)280mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 200mA, 2.7V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 25V
功率-最大200mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

668pF @ 25V

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.3mOhm @ 9.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1740pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2250pF @ 25V

功率-最大

50W

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