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DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

僅供參考

型號 DMN33D8LDW-7
PNEDA編號 DMN33D8LDW-7
描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN33D8LDW-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN33D8LDW-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN33D8LDW-7, DMN33D8LDW-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 289.06 KB)
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DMN33D8LDW-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)250mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.23nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds48pF @ 5V
功率-最大350mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.76nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

350mW

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 10V

功率-最大

2W

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

285pF @ 15V

功率-最大

1.15W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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