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DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13

僅供參考

型號 DMN3033LSD-13
PNEDA編號 DMN3033LSD-13
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,822
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3033LSD-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3033LSD-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN3033LSD-13, DMN3033LSD-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 235.25 KB)
PDFDMN3033LSD-13數據表 封面
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DMN3033LSD-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds725pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

210mOhm @ 21.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

372nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10400pF @ 25V

功率-最大

780W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

950mA, 530mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1.6µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.34nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

47pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.6nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

465pF @ 15V

功率-最大

750mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 38A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

97nC @ 10V

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