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DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13

僅供參考

型號 DMN3018SSD-13
PNEDA編號 DMN3018SSD-13
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 154,692
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3018SSD-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3018SSD-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN3018SSD-13, DMN3018SSD-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 482.8 KB)
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DMN3018SSD-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13.2nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds697pF @ 15V
功率-最大1.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 6.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 16V

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A, 11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.7mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 15V

功率-最大

1.3W, 1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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