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DMN3013LDG-13

DMN3013LDG-13

僅供參考

型號 DMN3013LDG-13
PNEDA編號 DMN3013LDG-13
描述 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 12 - 七月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3013LDG-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3013LDG-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN3013LDG-13, DMN3013LDG-13數據表 (總頁數: 10, 大小: 658.03 KB)
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DMN3013LDG-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs14.3mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.7nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds600pF @ 15V
功率-最大2.16W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerLDFN
供應商設備包裝PowerDI3333-8 (Type D)

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

752pF @ 15V

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

112mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2W

工作溫度

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安裝類型

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