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DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

僅供參考

型號 DMN1029UFDB-7
PNEDA編號 DMN1029UFDB-7
描述 MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 22,416
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN1029UFDB-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN1029UFDB-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN1029UFDB-7, DMN1029UFDB-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 444.2 KB)
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DMN1029UFDB-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19.6nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds914pF @ 6V
功率-最大1.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝U-DFN2020-6 (Type B)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

562pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1167pF @ 25V

功率-最大

2.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

35V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 20V

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2.2W

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 10V

功率-最大

1W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 300A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 15mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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