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DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

僅供參考

型號 DMN1019USN-7
PNEDA編號 DMN1019USN-7
描述 MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 232,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 21 - 七月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN1019USN-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN1019USN-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN1019USN-7, DMN1019USN-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 307.71 KB)
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DMN1019USN-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.2V, 2.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID800mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50.6nC @ 8V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2426pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)680mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-59
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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