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DF300R12KE3HOSA1

DF300R12KE3HOSA1

僅供參考

型號 DF300R12KE3HOSA1
PNEDA編號 DF300R12KE3HOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 650V 300A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,194
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DF300R12KE3HOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DF300R12KE3HOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
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DF300R12KE3HOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)480A
功率-最大1470W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 300A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce21nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

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當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

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Infineon Technologies

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IGBT類型

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

275A

功率-最大

1400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

13nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

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Module

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

110A

功率-最大

357W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.34nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP4

供應商設備包裝

SP4

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

275A

功率-最大

1136W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

13.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

1980W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

49.4nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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