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DF120R12W2H3B27BOMA1

DF120R12W2H3B27BOMA1

僅供參考

型號 DF120R12W2H3B27BOMA1
PNEDA編號 DF120R12W2H3B27BOMA1
描述 IGBT MODULE 800V 50A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DF120R12W2H3B27BOMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DF120R12W2H3B27BOMA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
DF120R12W2H3B27BOMA1, DF120R12W2H3B27BOMA1數據表 (總頁數: 11, 大小: 909.79 KB)
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DF120R12W2H3B27BOMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
功率-最大180W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 40A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce2.35nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 60A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

8nF @ 30V

輸入

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NTC熱敏電阻

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當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

81nF @ 25V

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Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

2.5nF @ 25V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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