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DDTC114EE-7-F

DDTC114EE-7-F

僅供參考

型號 DDTC114EE-7-F
PNEDA編號 DDTC114EE-7-F
描述 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,140
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DDTC114EE-7-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DDTC114EE-7-F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DDTC114EE-7-F, DDTC114EE-7-F數據表 (總頁數: 10, 大小: 567.94 KB)
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DDTC114EE-7-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-523
供應商設備包裝SOT-523

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電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

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電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 5mA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

47 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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