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D45VH10G

D45VH10G D45VH10G

僅供參考

型號 D45VH10G
PNEDA編號 D45VH10G
描述 TRANS PNP 80V 15A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十月 7 - 十月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

D45VH10G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號D45VH10G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
D45VH10G, D45VH10G數據表 (總頁數: 5, 大小: 98.62 KB)
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D45VH10G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 800mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 4A, 1V
功率-最大83W
頻率-過渡50MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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ON Semiconductor

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 10mA, 3V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 2A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 3A, 2V

功率-最大

5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-204AA, TO-3

供應商設備包裝

TO-3

FJP5355TU

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

440V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 800mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

7 @ 2.5A, 2V

功率-最大

50W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 25mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 3V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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