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CY9BF314NBGL-GE1

CY9BF314NBGL-GE1

僅供參考

型號 CY9BF314NBGL-GE1
PNEDA編號 CY9BF314NBGL-GE1
描述 IC MCU 32BIT 288KB FLASH 112BGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY9BF314NBGL-GE1資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY9BF314NBGL-GE1
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器

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CY9BF314NBGL-GE1規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列FM3 MB9B310R
核心處理器ARM® Cortex®-M3
核心大小32-Bit
速度144MHz
連接性CSIO, EBI/EMI, I²C, LINbus, UART/USART, USB
外圍設備DMA, LVD, POR, PWM, WDT
I / O數量83
程序存儲器大小288KB (288K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小32K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)2.7V ~ 5.5V
數據轉換器A/D 16x12b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱112-LFBGA
供應商設備包裝112-PFBGA (10x10)

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連接性

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外圍設備

DMA, LVD, PWM, WDT

I / O數量

84

程序存儲器大小

256KB (256K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

16K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.2V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 12x10b; D/A 2x8b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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外圍設備

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I / O數量

32

程序存儲器大小

4MB (4M x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

256K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.08V ~ 5.25V

數據轉換器

A/D 64x12b

振蕩器類型

External

工作溫度

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連接性

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外圍設備

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I / O數量

53

程序存儲器大小

512KB (170K x 24)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

48K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

-

數據轉換器

A/D 30x10b/12b

振蕩器類型

Internal

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-40°C ~ 85°C (TA)

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連接性

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外圍設備

Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT

I / O數量

21

程序存儲器大小

32KB (32K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

4K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 12x12b; D/A 1x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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