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CY9BF104RAPMC-G-JNE2

CY9BF104RAPMC-G-JNE2

僅供參考

型號 CY9BF104RAPMC-G-JNE2
PNEDA編號 CY9BF104RAPMC-G-JNE2
描述 IC MCU 32BIT 256KB FLASH 120LQFP
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 6 - 六月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY9BF104RAPMC-G-JNE2資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY9BF104RAPMC-G-JNE2
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器

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CY9BF104RAPMC-G-JNE2規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列FM3 MB9B100A
核心處理器ARM® Cortex®-M3
核心大小32-Bit
速度80MHz
連接性CSIO, EBI/EMI, I²C, LINbus, UART/USART
外圍設備DMA, LVD, POR, PWM, WDT
I / O數量100
程序存儲器大小256KB (256K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小32K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)2.7V ~ 5.5V
數據轉換器A/D 16x12b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱120-LQFP
供應商設備包裝120-LQFP (16x16)

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連接性

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I / O數量

53

程序存儲器大小

32KB (32K x 8)

程序存儲器類型

Mask ROM

EEPROM大小

-

RAM大小

1K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.2V ~ 6V

數據轉換器

A/D 8x10b

振蕩器類型

External

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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程序存儲器大小

2KB (1K x 16)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

-

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.8V ~ 5.5V

數據轉換器

-

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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連接性

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外圍設備

POR, PWM, WDT

I / O數量

39

程序存儲器大小

32KB (32K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

1K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.7V ~ 5.5V

數據轉換器

-

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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核心大小

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速度

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-

外圍設備

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I / O數量

13

程序存儲器大小

1.5KB (1.5K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

128 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.7V ~ 5.5V

數據轉換器

-

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

核心處理器

-

核心大小

-

速度

-

連接性

-

外圍設備

-

I / O數量

-

程序存儲器大小

-

程序存儲器類型

-

EEPROM大小

-

RAM大小

-

電壓-電源(Vcc / Vdd)

-

數據轉換器

-

振蕩器類型

-

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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