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CY9AF116NABGL-GE1

CY9AF116NABGL-GE1

僅供參考

型號 CY9AF116NABGL-GE1
PNEDA編號 CY9AF116NABGL-GE1
描述 IC MCU 32BIT 512KB FLASH 112BGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,364
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY9AF116NABGL-GE1資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY9AF116NABGL-GE1
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器

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CY9AF116NABGL-GE1規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列FM3 MB9A110A
核心處理器ARM® Cortex®-M3
核心大小32-Bit
速度40MHz
連接性CSIO, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, UART/USART
外圍設備DMA, LVD, POR, PWM, WDT
I / O數量83
程序存儲器大小512KB (512K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小32K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)2.7V ~ 5.5V
數據轉換器A/D 16x12b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱112-LFBGA
供應商設備包裝112-PFBGA (10x10)

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連接性

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外圍設備

DMA, WDT

I / O數量

85

程序存儲器大小

64KB (64K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

4K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.7V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 26x10b; D/A 2x8b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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安裝類型

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I / O數量

132

程序存儲器大小

-

程序存儲器類型

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EEPROM大小

-

RAM大小

32K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

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數據轉換器

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振蕩器類型

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外圍設備

Brown-out Detect/Reset, DMA, HLVD, I²S, POR, PWM, WDT

I / O數量

34

程序存儲器大小

256KB (256K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

64K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.5V ~ 3.6V

數據轉換器

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振蕩器類型

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程序存儲器大小

128KB (64K x 16)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

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電壓-電源(Vcc / Vdd)

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數據轉換器

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振蕩器類型

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工作溫度

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程序存儲器大小

128KB (128K x 8)

程序存儲器類型

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RAM大小

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