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CY7C245A-18WMB

CY7C245A-18WMB

僅供參考

型號 CY7C245A-18WMB
PNEDA編號 CY7C245A-18WMB
描述 IC EPROM 16K PARALLEL 24CERDIP
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,122
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C245A-18WMB資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C245A-18WMB
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C245A-18WMB, CY7C245A-18WMB數據表 (總頁數: 12, 大小: 227.93 KB)
PDFCY7C245A-18WMB數據表 封面
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CY7C245A-18WMB規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EPROM
技術EPROM - UV
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間18ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-55°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱24-CDIP (0.300", 7.62mm) Window
供應商設備包裝24-CERDIP

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

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Cypress Semiconductor

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Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

28-SOIC

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

1.125Mb (64K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

5ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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