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CY7C1318BV18-200BZI

CY7C1318BV18-200BZI

僅供參考

型號 CY7C1318BV18-200BZI
PNEDA編號 CY7C1318BV18-200BZI
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,600
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1318BV18-200BZI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1318BV18-200BZI
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1318BV18-200BZI, CY7C1318BV18-200BZI數據表 (總頁數: 31, 大小: 699.14 KB)
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CY7C1318BV18-200BZI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, DDR II
內存大小18Mb (1M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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工作溫度

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安裝類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

1067MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

10ns

電壓-供電

1.28V ~ 1.42V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 3ms

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

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