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CY7C1312KV18-250BZXI

CY7C1312KV18-250BZXI

僅供參考

型號 CY7C1312KV18-250BZXI
PNEDA編號 CY7C1312KV18-250BZXI
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價
1 ---------- $284.1028
50 ---------- $270.7855
100 ---------- $257.4681
200 ---------- $244.1508
400 ---------- $233.0531
500 ---------- $221.9553
庫存 443
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1312KV18-250BZXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1312KV18-250BZXI
類別半導體內存IC內存

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CY7C1312KV18-250BZXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小18Mb (1M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率250MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

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Winbond Electronics

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

350ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-TFBGA

供應商設備包裝

84-WBGA (8x12.5)

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-VFBGA

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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