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CY7C1312CV18-250BZXC

CY7C1312CV18-250BZXC

僅供參考

型號 CY7C1312CV18-250BZXC
PNEDA編號 CY7C1312CV18-250BZXC
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,290
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 9 - 五月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1312CV18-250BZXC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1312CV18-250BZXC
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1312CV18-250BZXC, CY7C1312CV18-250BZXC數據表 (總頁數: 25, 大小: 689.51 KB)
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CY7C1312CV18-250BZXC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小18Mb (1M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率250MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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工作溫度

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內存接口

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

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