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CY7C13121KV18-300BZXC

CY7C13121KV18-300BZXC

僅供參考

型號 CY7C13121KV18-300BZXC
PNEDA編號 CY7C13121KV18-300BZXC
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C13121KV18-300BZXC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C13121KV18-300BZXC
類別半導體內存IC內存

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CY7C13121KV18-300BZXC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小18Mb (1M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率300MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

8Mb (264 Bytes x 4096 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

14ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

28-SOIC

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

250ns

電壓-供電

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工作溫度

-20°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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