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CY7C1250V18-333BZXC

CY7C1250V18-333BZXC

僅供參考

型號 CY7C1250V18-333BZXC
PNEDA編號 CY7C1250V18-333BZXC
描述 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價
1 ---------- $982.0809
50 ---------- $936.0459
100 ---------- $890.0108
200 ---------- $843.9758
400 ---------- $805.6132
500 ---------- $767.2507
庫存 112
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 29 - 五月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1250V18-333BZXC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1250V18-333BZXC
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1250V18-333BZXC, CY7C1250V18-333BZXC數據表 (總頁數: 27, 大小: 642.75 KB)
PDFCY7C1250V18-333BZXC數據表 封面
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CY7C1250V18-333BZXC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, DDR II
內存大小36Mb (1M x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (15x17)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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制造商

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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