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CY62147G30-55BVXE

CY62147G30-55BVXE

僅供參考

型號 CY62147G30-55BVXE
PNEDA編號 CY62147G30-55BVXE
描述 IC SRAM 4M PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 8 - 五月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY62147G30-55BVXE資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY62147G30-55BVXE
類別半導體內存IC內存

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CY62147G30-55BVXE規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列MoBL®
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.2V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-VFBGA
供應商設備包裝48-VFBGA (6x8)

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

16-SOIC

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

3500ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

MoBL®

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)

供應商設備包裝

32-SOIC

7016L20JI8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

144Kb (16K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

68-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

68-PLCC (24.21x24.21)

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