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CTLT953-M833S BK

CTLT953-M833S BK

僅供參考

型號 CTLT953-M833S BK
PNEDA編號 CTLT953-M833S-BK
描述 SMT TRANS BIPOLAR PWR
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 4,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CTLT953-M833S BK資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CTLT953-M833S BK
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
CTLT953-M833S BK, CTLT953-M833S BK數據表 (總頁數: 4, 大小: 711.72 KB)
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CTLT953-M833S BK規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic420mV @ 400mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)50nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1A, 1V
功率-最大2.5W
頻率-過渡150MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝TLM833S

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 3A, 5V

功率-最大

150W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

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-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

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10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 3.3A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 4V

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頻率-過渡

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

260MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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