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CPH6532-TL-E

CPH6532-TL-E

僅供參考

型號 CPH6532-TL-E
PNEDA編號 CPH6532-TL-E
描述 TRANS 2NPN 50V 1A 6CPH
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,248
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPH6532-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPH6532-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
CPH6532-TL-E, CPH6532-TL-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 521.27 KB)
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CPH6532-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic190mV @ 10mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 2V
功率-最大1.1W
頻率-過渡420MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-8 Thin, TSOT-23-8
供應商設備包裝6-CPH

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-CLCC

供應商設備包裝

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

900mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 3mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

600MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A, 1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 50mA, 2.5A / 220mV @ 50mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V

功率-最大

2.5W

頻率-過渡

140MHz, 180MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-223-8

供應商設備包裝

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MCH6542-TL-E

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 2V

功率-最大

55mW

頻率-過渡

380MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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