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CPH5517-TL-E

CPH5517-TL-E

僅供參考

型號 CPH5517-TL-E
PNEDA編號 CPH5517-TL-E
描述 TRANS NPN/PNP 50V 1A 5CPH
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 24,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPH5517-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPH5517-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
CPH5517-TL-E, CPH5517-TL-E數據表 (總頁數: 8, 大小: 399.66 KB)
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CPH5517-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP (Common Base)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic430mV @ 10mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 2V
功率-最大900mW
頻率-過渡420MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
供應商設備包裝5-CPH

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 300mA, 10V

功率-最大

650mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 10mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 5A, 4V

功率-最大

5W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 10mA, 2V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

320MHz, 260MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

150mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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