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CP647-PMD19K100-CT

CP647-PMD19K100-CT

僅供參考

型號 CP647-PMD19K100-CT
PNEDA編號 CP647-PMD19K100-CT
描述 TRANS PNP DARL 30A 100V DIE
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 8,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 22 - 七月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CP647-PMD19K100-CT資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CP647-PMD19K100-CT
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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CP647-PMD19K100-CT規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.8V @ 60mA, 15A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce800 @ 15A, 3V
功率-最大-
頻率-過渡4MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 3mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 4mA, 2V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

30MHz

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當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 50mA, 5V

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