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CMUT5551E BK

CMUT5551E BK

僅供參考

型號 CMUT5551E BK
PNEDA編號 CMUT5551E-BK
描述 TRANS PNP
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 2,664
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 1 - 六月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMUT5551E BK資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMUT5551E BK
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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CMUT5551E BK規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)220V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 10mA, 5V
功率-最大250mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-523
供應商設備包裝SOT-523

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 30mA, 10V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 10V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

112 @ 50mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 30mA, 10V

功率-最大

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