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BYV30JT-600PQ

BYV30JT-600PQ

僅供參考

型號 BYV30JT-600PQ
PNEDA編號 BYV30JT-600PQ
描述 DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYV30JT-600PQ資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYV30JT-600PQ
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BYV30JT-600PQ, BYV30JT-600PQ數據表 (總頁數: 10, 大小: 270.11 KB)
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BYV30JT-600PQ規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)65ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3P
工作溫度-結點175°C (Max)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

12mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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400V

電流-平均整流(Io)

1.8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

140ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

44pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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