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BUK762R9-40E/GFJ

BUK762R9-40E/GFJ

僅供參考

型號 BUK762R9-40E/GFJ
PNEDA編號 BUK762R9-40E-GFJ
描述 MOSFET N-CH D2PAK
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,870
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUK762R9-40E/GFJ資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUK762R9-40E/GFJ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BUK762R9-40E/GFJ規格

制造商NXP USA Inc.
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

50µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 5V

功率-最大

2W

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

250mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 2A, 5V

功率-最大

70W

頻率-過渡

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安裝類型

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

100MHz

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

180V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

2W

頻率-過渡

20MHz

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