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BU407TU

BU407TU

僅供參考

型號 BU407TU
PNEDA編號 BU407TU
描述 TRANS NPN 150V 7A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,824
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BU407TU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BU407TU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BU407TU, BU407TU數據表 (總頁數: 6, 大小: 165.32 KB)
PDFBU407HTU數據表 封面
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BU407TU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)7A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)150V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)5mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大60W
頻率-過渡10MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 4V

功率-最大

50W

頻率-過渡

25MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 3mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

2nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10µA, 5V

功率-最大

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1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 2V

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